可控硅的伏安特性

可控硅的伏安特性是指可控硅的阳极A和阴极K之间的电压与可控硅的阳极电流之间的关系。香蕉视频软件下载一种大功率电器元件，也称香蕉视频软件下载。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。可控硅通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。降压硅链香蕉视频在线观看APP输入信号与TTL和COMS数字逻辑电路兼容。正向特征在第一象限，反向特征在第三象限。

（1） 反向特性

当栅极G开着，外加反向电压时，J2结正偏，而J1，J2结相反。当电压进一步升高到J1结雪崩击穿电压时，J3结击穿，电流迅速增大。图2特征曲线的或截面开始弯曲。弯曲处的电压Uro称为“反向转动电压”。可控硅将反向击穿。

（2） 正向特性

当栅极G打开，阳极A加正向影响电压时，j1和j3结偏压为正，而j2结偏压为负，这与香蕉啪啪啪啪黄片普通pn结的反向传播特性进行相似，只能可以通过一个很小的电流。这称为中国正向阻塞管理状态。当电压水平升高时，特性变化曲线的OA段开始出现弯曲。弯曲处的电压Ubo被称为“正向旋转工作电压”。

当电压上升到J2结的雪崩击穿电压时，在J2结上产生大量的电子和空穴。电子进入N1区，空穴进入P2区。进入n1区域的电子与通过p1区域的j1结注入到n1区域的空穴重新结合。同样地，进入P2区域的空穴与通过N2区域的J3结注入到P2区域的电子结合。雪崩击穿后，进入N1区的电子和进入P2区的空穴并不全部合并。因此，n1区有电子积累，p2区有空穴积累。因此，p2区电位的增加在n1区减小，j2结成为正偏置。只要电流略有增加，电压就会迅速下降，从而产生所谓的负电阻特性，如图2的虚线AB部分所示。此时，J1、J2和J3的三个结均呈正偏置，可控硅进入正导电态，具有与普通PN结相似的特征。

（3） 触发导通

当正向电压施加到G栅极时(如图1所示)。 5)，由于J3偏压，p2区的空穴进入n2区，n2区的电子进入p2区，形成触发电流IGT。 在香蕉视频软件下载内部正反馈和IGT功能的基础上，提前打开香蕉视频软件下载，使电压-安培特性OA部分向左移动，IGT越大，特性向左移动越快。